DRAM-ETF über 20% gefallen – Jetzt den Rücksetzer kaufen?

Der DRAM – Roundhill Memory ETF ist der erste börsengehandelte Fonds, der sich ausschließlich auf Speicheraktien konzentriert. Nach einem beeindruckenden Start am 2. April, bei dem sich der Fonds gegenüber seinem Eröffnungskurs von 27 US-Dollar nahezu verdreifachte, hat der ETF zuletzt deutlich nachgegeben. Aktuell notiert er mehr als 20% unter seinen Höchstständen – und das wirft bei Anlegern die Frage auf, ob dieser Rücksetzer eine Kaufgelegenheit darstellt.

Der Fonds ist keine klassische Diversifikationsstrategie, sondern eine hochkonzentrierte Wette auf den globalen Speichermarkt. Im Fokus stehen dabei vor allem DRAM (Dynamic Random Access Memory) sowie in geringerem Maße NAND-Speicher (Flash). Für deutsche Privatanleger, die am Boom rund um Künstliche Intelligenz und Hochleistungschips partizipieren möchten, bietet der ETF einen direkten Zugang zu diesem Nischensegment.

Konzentrierte Wette auf drei Schwergewichte

Fast 75% der ETF-Bestände entfallen auf die drei dominierenden DRAM-Hersteller weltweit: das US-amerikanische Unternehmen Micron, den südkoreanischen Konzern Samsung sowie SK Hynix, ebenfalls aus Südkorea. Die Gewichtung ist derzeit relativ gleichmäßig verteilt: Micron hält mit 25,8% den größten Anteil, SK Hynix mit 23,7% den kleinsten. Alle drei Unternehmen profitieren im Wesentlichen vom gleichen strukturellen Rückenwind.

Der entscheidende Treiber ist die rasant steigende Nachfrage nach High-Bandwidth Memory (HBM) – einer speziellen Form von DRAM, die gemeinsam mit Grafikprozessoren (GPUs) und anderen KI-Chips eingesetzt wird, um deren Leistung zu steigern. Besonders die zunehmende Verbreitung von KI-Inferenz – also dem Einsatz bereits trainierter KI-Modelle – befeuert die Nachfrage, da Inferenz-Anwendungen tendenziell eher durch die Speicherkapazität als durch die Rechenleistung limitiert sind. Da Inferenz voraussichtlich zu einem größeren Markt als das KI-Training heranwächst, dürfte die HBM-Nachfrage strukturell hoch bleiben.

Hinzu kommt ein Angebotsengpass: HBM beansprucht bis zu dreimal mehr Wafer-Kapazität als herkömmlicher DRAM. Da sich die drei großen Hersteller verstärkt auf die margenstärkeren HBM-Produkte konzentrieren, hat dies zu einem sprunghaften Anstieg der DRAM-Preise insgesamt geführt. Die Folge: Alle drei Unternehmen konnten sowohl ihre Umsätze massiv steigern als auch ihre Bruttomargen deutlich ausweiten.

Superzyklus mit langfristiger Perspektive

Besonders bemerkenswert ist die Einschätzung von SK-Hynix-CEO Kwak Noh-jung, der kürzlich den schlimmsten DRAM-Versorgungsengpass aller Zeiten für das kommende Jahr prognostizierte. Er geht davon aus, dass der Markt über das Jahr 2030 hinaus angebotsbeschränkt bleiben wird. Das ist eine außergewöhnlich bullische Aussage für ein Segment, das traditionell als hochzyklisch gilt.

Tatsächlich unternehmen die drei großen DRAM-Hersteller erstmals Schritte, um diese Zyklizität abzumildern: Sie beginnen, längerfristige Lieferverträge abzuschließen. Das könnte langfristig zu stabileren Erträgen und damit zu höheren Bewertungsmultiplikatoren für die Aktien führen – ein struktureller Wandel, der den Sektor für institutionelle wie private Investoren attraktiver machen würde.

Neben den drei DRAM-Schwergewichten enthält der ETF auch Positionen in NAND-Unternehmen wie Sandisk und dem japanischen Hersteller Kioxia, die beide an der Entwicklung von High-Bandwidth Flash (HBF) arbeiten. Gelegentlich setzt der Fonds auch Hebel und Total Return Swaps ein – allerdings hauptsächlich aus steuerlichen Gründen und zum schnellen Positionsaufbau, nicht als spekulatives Instrument. Roundhill bietet zudem eine separate gehebelte Version an, den Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF – von gehebelten ETFs wird jedoch im Allgemeinen abgeraten.

Insgesamt ist der DRAM-ETF ein Instrument, das Anleger eher wie eine Einzelaktie behandeln sollten: mit entsprechend höherem Risikobewusstsein, aber auch mit dem Potenzial, an einem möglicherweise mehrjährigen DRAM-Superzyklus zu partizipieren.